第二百二十五章 进击的新芯科技 (第1/2页)
　　
　　索尼在当下属于不折不扣的消费电子龙头，在所有涉及的领域都有着极强的影响力，几乎都能排到前五。
　　
　　给苹果做解码芯片，从几百万片的数量到几千万片，而给索尼做，如果能够进入索尼的主流生产线，一开始就能够到上千万的量，索尼的产品在2000年代压根不存在卖不出去这种可能性。
　　
　　似乎只要把产品做出来了，就会有消费者愿意买单。
　　
　　即便到了二十年后，索尼的智能手机在全球市场没有声量，但是在其他消费电子领域依然有索尼的一席之地。
　　
　　因此关建英很希望和索尼达成长期的合作关系，加上他认为新芯科技和索尼达成合作具备天然的基础。
　　
　　之前索尼和新芯科技围绕着蓝牙芯片就展开过合作，加上索尼自己旗下有着大大小小的第一方游戏工作室，一直都是拳头游戏和Mphone的合作伙伴。
　　
　　因此双方是存在互信基础在的。
　　
　　对关建英个人而言，新芯科技之前的销售网络全部依赖于周新的商业版图，他作为新芯科技的副总裁并没有在商业关系合作上发挥太大作用，没有把他前二十年的芯片从业经验最大程度利用起来。
　　
　　关建英也希望以和索尼集团的全面合作为契机，让新芯科技在移动芯片领域的影响力再上一个台阶。
　　
　　并且他有信心，索尼的掌机选择新芯的话，任天堂也手到擒来。
　　
　　最了解你的永远是你的竞争对手，索尼选择了新芯科技，只要新芯的价格合适，任天堂没有拒绝的理由。
　　
　　能够同时成为索尼和任天堂的合作伙伴，这也意味着新芯在掌机领域成为最重要的芯片供应商之一了。
　　
　　中村末广面露难色：“关桑，你知道的我只是半导体事业部的部长，别说索尼集团，我连索尼游戏都没有决定权。
　　
　　伱和我谈这个，多少有点超过我的管辖范围了。”
　　
　　中村末广在索尼研发部门的地位很高，准确来说中村在整个索尼体系里地位都很高。但是他在不久后会被边缘化，因为索尼的半导体事业部在PSP芯片研发上犯了严重的失误。
　　
　　这一失误导致索尼的PSP掌机最大的短板出现在了芯片上。
　　
　　关建英说：“中村，我知道你的意思，这次来我也是有事想提醒你，你之前说过你们想使用东芝最先进的90nm工艺，采用90nm工艺能够提高不少性能。
　　
　　但是根据新芯研究部门的研究结果表明，如果采取90nm工艺，但是在超低K值介电材料的研发没有跟上的话，会造成严重的漏电流问题。
　　
　　该问题导致采用先进制程，功耗不但没有降低，反而还增加了。”
　　
　　后来很多厂商在从0.13微米进入90nm的时候都遇到了类似的问题，超低K值介电材料导致的漏电问题，以至于英特尔直接跳过了90nm节点，进入到了0.65nm的节点。
　　
　　中村末广也正是因为这一失误，而被边缘化了，然后没有多久被发配到以他名字命名的中村研究所了。
　　
　　正是因为索尼PSP芯片的漏电问题，导致首批PSP芯片明明能跑到333MHz，但是受限于漏电问题，导致最高只能跑到222MHz。
　　
　　当时索尼甚至专门发布了公告：2006年3月前生产的PSP，CPU跑在222MHz，2006年3月后生产的，CPU可以跑在366MHz，用户可以自行选择。
　　
　　中村末广眼睛眯了起来：“关桑，新芯在移动芯片领域的造诣深厚，你们的A1E芯片已经把130nm制程发挥到了极限，甚至比我们通过90nm制程设计的芯片性能还要更好。
　　
　　我们的研发部门一直想绕开新芯的专利都没办法做到，我很相信新芯科技在这一领域的实力，但是新芯科技目前用过最先进的制程应该就只有130nm吧？
　　
　　目前市面上还没有芯片代工厂商开始大规模推90nm制程的芯片，我们的芯片也才在索尼和东芝共建的晶圆厂少量生产。
　　
　　你们怎么知道存在这种问题的？”
　　
　　中村很谨慎，大家关系好归关系好，他也不希望看到索尼被新芯科技渗透的和筛子一样。
　　
　　关建英说：“因为我们即将推出的第二代Mphone也将采用90nm的工艺，离第一代Mphone已经过去两年时间了，Matrix之所以没有发布新一代Mphone，很大一部分原因是因为芯片性能还没有实现突破。
　　
　　我们在和IBM、德州仪器、三星这些芯片生产厂商合作的时候，新芯科技的A2系列芯片在流片的时候普遍发现超低K值介电材料会存在漏电流的问题。
　　
　　所以之前你一和我们说索尼新一代掌机要采取最先进的芯片技术，我就猜到了你们同样会面临这一问题。”
　　
　　中村心想，原来是我泄露的吗？我只是说了这么含糊的一句，关桑就推测出了这么多东西？
　　
　　他内心不由得一阵佩服，然后连忙问：“新芯科技遇到了同样的问题，看来关桑是想到了解决方法？”
　　
　　中村末广显然格外上心，要是PSP的芯片出了问题，那死的第一个就是他。
　　
　　关建英点头：“新芯科技从两年前开始着手超低K介电材料的应用，目前推出了新一代氧化硅技术可以解决这个问题。
　　
　　我们把它叫做Black Diamond薄膜，它的有效介电常数会小于3.0，同时采取新芯科技独有的双镶嵌工艺后，可以将电容值降低25%到35%之间。”
　　
　　这是新芯科技在硅谷的研发中心的成果，准确来说周新在成功卖掉quora之后在硅谷成立了研发中心，有软件层面的研发中心也有半导体领域的研发中心。
　　
　　其中超低K介电材料就是半导体研发中心过去两年重要研发课题之一，因为周新天然知道超低K介电材料未来在半导体材料中会越来越重要，并且他也大致知道阿美利肯的应用材料公司是如何解决这个问题的。
　　
　　低k介质在超大规模集成电路中，随着器件集成度的提高和延迟时间进一步减小，需要它作为绝缘材料，以保证器件的高速性能并控制能耗。而随着芯片体积的缩小，对低K介质的要求也越来越高。
　　
　　这在未来大A的半导体市场研报中叫做半导体前驱体材料中的低K前驱体材料。
　　
　　
　　
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